• اطلاعیه ها

    • سینا میاندشتی

      در مورد مشکلات لاگین (ورود) به سیستم جدید تالار   09/02/16

      با سلام   در نسخه جدید تالار امکان استفاده از Username از سیستم حذف شده است و شما باید با یکی از ۳ روش زیر برای ورود اقدام کنید نام نمایشی (مثلا نام نمایشی بنده سینا میاندشتی است) آدرس ایمیلی که در سیستم ثبت نام کردید (مثلا [email protected]) اکانت گوگل (البته به زودی ورود از طریق facebook و twitter نیز به سیستم اضافه می شود)   در صورتی که نام نمایشی خود را نمی دانید - یا نمی دانید با چه ایمیلی ثبت نام کردید - مشکل خود را از طریق ایمیل به آدرس [email protected] ارسال کنید با تشکر
hd5870

سامسونگ نود ساخت 11 و 7 نانومتری را با بازده بالاترو مصرف پایین تر نسبت به قبل ارائه میدهد!!

Recommended Posts

hd5870    4,539

 

96be2d6755248c4444529c04c2096bdd-big.jpg

 

کمپانی سامسونگ یکی از پیشروان جهان در صنعت نیمه هادی های پیشرفته ،امروز اعلام که که فناوری ساخت 11 نانومتر FinFET را با فناوری ساخت (11LPPیاLow Power Plus) به مجموعه فرآیندهای پیشرفته ریخته گری خود اضافه میکندو مشتریان ازین پس میتوانند طیف گسترده تری از محصولات این شرکت را با این فرآیند ساخت سفارش دهند.نمونه های اولیه فرآیند ساخت 11LPP نسبت به نمونه های  14LPP تا 15 درصد عملکرد بالاتر و 10 درصد ابعاد کوچکتر تراشه ، با همان مقدار مصرف انرژی را ارائه میدهد.علاوه بر پروسه ساخت 10nm FinFET که  گل سر سبد این پروسه ومخصوص استفاده در تراشه های تلفن های همراه است ، پروسه جدید 11 نانومتری برای این کمپانی از ارزش به نسبت بالاتری در استفاده از آن برای گوشی ها میانی ورده بالای هوشمند ، برخوردار است.هر چند این فرآینددر اوایل سال 2018 آماده تولید میشود ، اما سامسونگ تایید کرده است که پروسه ساخت 7LPP با فناوری لیتوگرافی EUV(فوق العاده بنفش )در حال برنامه ریزی است و تولید آن در نیمه دوم سال 2018 آغاز میشود.

کمپانی سامسونگ از سال 2014 تاکنون موفق به تهیه و تولید 200 هزار ویفر با پروسه لیتوگرافی EUV(یا همان فوق العاده بنفش ) شده است .بر اساس این تجربیات به دست آمده تا کنون ، سامسونگ طی این فرآیند سازیها، موفق به دستیابی به عملکرد 80 درصدی به ازای هر 256 مگابیت SRAM (یا حالت استاتیک دسترسی تصادفی حافظه ) شده است.

رایان لی، معاون  و رییس بازاریابی پروسه ساخت در سامسونگ الکترونیک، گفت: سامسونگ روند 11 نانومتری را به نقشه راه خود اضافه کرده است تا گزینه های پیشرفته تری برای کاربردهای مختلف ارائه شود. "از این طریق، سامسونگ، طی سه سال آینده، یک نقشه راه جامع را که ازنود 14 نانومتر تا 11 نانومتر، 10 نانومتر، 8 نانومتر و 7 نانومتر است،را به اتمام خواهد رساند."

اطلاعات مربوط به بروز رسانی اخیر نقشه راه پروسه ساخت سامسونگ، از جمله در دسترس بودن فناوری 11LPP و توسعه پروسه 7 نانومتری EUV، در انجمن طرح ریزی پایه ویفر، درکنفرانس سامسونگ در 15 سپتامبر 2017 در توکیو برگزار خواهد شد. سامسونگ این پروسه ساخت خودرا در اوایل سال جاری در ایالات متحده و کره جنوبی اجرا میکند و  این کمپانی فناوری های پیشرفته خود را با مشتریان و شرکای جهانی به اشتراک می گذارد.

 

منبع :Techpowerup

مترجم : محمد فتحی

ویرایش شده در توسط hd5870
  • Upvote 3

به اشتراک گذاری این پست


لینک به پست
به اشتراک گذاری در سایت های دیگر
name name

برای ارسال نظر یک حساب کاربری ایجاد کنید یا وارد حساب خود شوید

برای اینکه بتوانید نظر ارسال کنید نیاز دارید که کاربر سایت شوید

ایجاد یک حساب کاربری

برای حساب کاربری جدید در انجمن ما ثبت نام کنید. عضویت خیلی ساده است !

ثبت نام یک حساب کاربری جدید

ورود به حساب کاربری

دارای حساب کاربری هستید؟ از اینجا وارد شوید

ورود به حساب کاربری